Focused Ion Beam

Focused Ion Beam (FIB – tehnika fokusiranega ionskega curka) je zelo napredna znanstvena naprava in elektronski mikroskop v enem. Tehnika je bila prvotno razvita za namene polprevodniške industrije. FIB sestavljata dve ločeni koloni. Elektronska kolona je namenjena predvsem slikanju vzorcev. Ionska kolona pa omogoča jedkanje, nanostrukturiranje in druge preiskave najrazličnejših vzorcev. V sodelovanju z industrijo, se je izkazal za nepogrešljiv instrument pri ugotavljanju strukture premazov in prevlek, zlitin, analize mikrostruktur, študije defektov, kontrole kakovosti, raziskav homogenosti ipd.  Instrument se uporablja za izdelovanje različnih oblik in vzorcev na nanometerskem področju, za pripravo vzorcev za presevno elektronsko mikroskopijo (TEM), 3D tomografijo in nanašanje prevodnih oziroma neprevodnih tankih plasti s pomočjo ionskega snopa.

Opis opreme:

• Elektronski snop: 50 V – 30 kV
• Ionski snop: 500 V – 30 kV

Ločljivost ionskega snopa:

• 4,5 nm pri 30 kV (statistična metoda merjenja)
• 2,5 nm pri 30 kV (meritev roba)

Ločljivost elektronskega snopa pri optimalni delovni razdalji:

• 0,8 nm pri 30 kV (STEM)
• 0,8 nm pri 15 kV
• 0,8 nm pri 2 kV
• 0,9 nm pri 1 kV
• 1,5 nm pri 200 V

Instrument je opremljen z energijsko spektroskopijo rentgenskih žarkov (EDXS) proizvajalca Oxford instruments z X-max SDD detektorjem, Omniprobe 200 mikromanipulatorjem ter Pt/C/TEOS GIS sistemom.

Odgovorna oseba: Bojan Ambrožič, bojan.ambrozic@ijs.si
Lokacija opreme: Inštitut Jožef Stefan, stavba B, klet, Jamova 39, 1000 Ljubljana
Zahtevan nivo znanja: po dogovoru z odgovorno osebo

Rezervacija opreme: obvezna rezervacija termina uporabe preko rezervacijskega sistema